技术编号:12609889
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种线性源,且更特别地,涉及一种用于线型(inlinetype)沉积设备的线性源,该线性源能够在进行线式(inline)PECVD(等离子体增强化学气相沉积)、线式ALD(原子层沉积)或诸如此类以产生线形高密度等离子体的线型沉积设备中使得沉积厚度在小面积或大面积基板上维持高的均匀度,从而在基板上沉积薄膜。背景技术PECVD和ALD是用于通过气(真空)态的前体将固态薄膜沉积在基板上的工艺。通过一种工艺发生化学反应,在这种工艺中,在沉积腔中产生的等离子体与前体反应。有利的,在基板上的PEC...
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