技术编号：12611982
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体加工设备领域，具体地，涉及一种等离子体产生装置和一种包括该等离子体产生装置的半导体加工设备。背景技术目前，通常采用深硅刻蚀工艺在基片上形成具有较大深宽比的沟槽。常用的一种深硅刻蚀工艺为博世(Bosch)工艺，博世工艺包括交替进行的刻蚀工艺和沉积工艺。在博世工艺过程中，为了控制侧壁的粗糙度，往往需要快速切换刻蚀气体与沉积气体，并且，刻蚀工艺过程中的功率、气压等参数也与沉积工艺过程使用的功率、气压等参数不同。在上述因素的影响下，工艺腔室内的等离子体阻抗往往会发生较大的变化。图1中所示...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。