技术编号：12611991
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及对基板进行等离子体处理的等离子体处理装置及其中使用的排气结构。背景技术在半导体器件和平板显示器(FPD)的制造步骤中，存在对基板进行等离子体蚀刻和成膜处理等等离子体处理的步骤。在这样的等离子体处理中，使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD成膜装置等各种等离子体处理装置。在使用等离子体处理装置进行等离子体处理时，将基板载置在设置于保持真空的处理室内的载置台上，在这样的状态下在处理室内生成规定气体的等离子体，对基板实施等离子体处理。在等离子体处理装置中，为了防止处理室内的处理区域中生成的异物...
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