技术编号:12612008
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,且特别涉及一种等离子刻蚀设备,具体为静电吸附盘支撑架的结构设计。背景技术等离子刻蚀,是干法刻蚀中最常见的一种形式,其原理是将暴露在电子区域的气体形成等离子体,由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体,从而形成了等离子或离子,电离气体原子通过电场加速时,会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。请参考图1,图1所示为现有技术中采用悬臂支撑的等离子刻蚀设备结构示意图。目前,12寸的LAM等离子刻蚀设备内部的腔体1是个正圆形的对称腔,其目的是为了保证气体流动导向的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。