技术编号：12612283
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种改善有源区边界处的栅极拐角的方法。背景技术随着半导体器件尺寸的微缩，对现有工艺的要求越来越高，关键尺寸的一致性要求也日益苛刻，特别是要确保栅氧层和栅极层尺寸一致性。栅氧层的尺寸由栅极横截面积的大小的决定，从而会影响通过此栅极的电流量，最终影响栅极对沟道的控制。在设计图形到实际成像过程中必然存在一定误差范围，如图1所示，G’所示虚线框为栅极区，P’为多晶硅，A’为有源区，由于光学效应引起的拐角部位变成圆角，如图1中a所示，该处的栅极面积比目标栅极表面增大，也即...
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