技术编号：12612310
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的制作方法，更具体地，涉及半导体器件的电极制作方法。背景技术一些半导体器件，如具有高强度ESD保护性能的ESD器件的表面电极需要用到导电性能非常好的Ag或Sn电极，此外，这些器件的正反面通常都需要制作这样的电极。现有技术中，常采用单面光刻工艺来完成半导体器件电极的制作，具体如图1a至1f所示，图1a至1f示出了现有技术中半导体器件的电极制作方法不同阶段的截面图。如图1a所示，先在半导体衬底110正反两面分别形成第一层间介质层120和第二层间介质层121，然后图案化半导体衬底1...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。