技术编号:12612721
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及利用研磨材料来加工工件的加工装置。背景技术近年来,作为用于加工半导体晶圆的器件形成面的加工装置,使用有兼具化学性作用和机械性作用的化学性机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing:CMP)装置。另一方面,近年来,作为下一代半导体基板而引人注目的由蓝宝石、SiC、GaN、金刚石等硬脆性材料构成的基板的化学性稳定,即便有效利用普通的化学性机械研磨方法,与Si相比,化学性作用非常小,研磨速率变小。对此,具有如下所述的方法(例如,参照专利文献1。):将含氧的加工气氛的压力...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。