技术编号:12612769
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及刷新技术,特别是涉及一种用于DRAM或eDRAM刷新的装置及其方法。背景技术在传统的刷新方式中,在每个刷新周期内都会有段时间用于刷新,如图1所示,在每个刷新周期内,时间轴被分成两个部分,一部分时间用于读写,另一部分时间用于刷新。现有刷新方式当DRAM在进行刷新时,无法进行读写操作,被称作死区时间,降低了DRAM吞吐量,并且读写的延迟会变得很高。发明内容本发明的目的在于提供一种用于DRAM或eDRAM刷新的装置及其方法,用于减少刷新和读写之间的冲突问题,达到增加DRAM或者eDRAM性能...
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