技术编号：12612911
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制造方法，特别涉及一种硅锗低温外延方法。背景技术外延工艺是指在衬底上生长一层与衬底具有相同晶格排列的材料，外延层可以是同质外延层，也可以是异质外延层。锗硅(SiGe)外延是硅引入锗并通过共价键结合形成的半导体化合物，将Ge引入Si有许多很重要的意义，其中最重要的是因为Ge相比Si有较大的晶格常数，在SiGe晶体的压缩应变产生额外的带隙收缩，Ge的引入会引起能够偏移，这有利于双极型晶体管设计中的使用。公开号为CN101724896A的发明专利申请公开了一种非选择性生长锗硅外延的...
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