技术编号:12612924
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示技术领域,尤其是涉及一种有源层的制作方法、氧化物薄膜晶体管及其制作方法。背景技术薄膜晶体管(TFT,ThinFilmTransistor)主要应用于控制和驱动液晶显示器(LCD,LiquidCrystalDisplay)、有机发光二极管(OLED,OrganicLight-EmittingDiode)显示器的子像素,是平板显示的核心技术。相比成熟的a-Si:HTFT和LTPS(LowTemperaturePoly-silicon,低温多晶硅技术)TFT背板技术,基于金属氧化物半导体...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。