技术编号:12613000
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示技术领域,特别是指一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。背景技术为了实现显示器的超窄边框和低成本,需要将栅极驱动电路和源极驱动电路集成在阵列基板上,要实现这个目的,需要制作出CMOS(互补型)薄膜晶体管。现有的CMOS薄膜晶体管(即同时包括N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管)通常是以低温多晶硅(LTPS)作为半导体层材料,但是由于低温多晶硅的工艺过程复杂,可控性差,并且均匀性不好,目前还没有应用于6代线以上大面积的显示装置。如果采用金属氧化物半导体来制作CMOS薄膜晶体管,又...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。