技术编号:12613863
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体器件及其形成方法。背景技术随着半导体芯片的运用越来越广泛,导致半导体芯片受到静电损伤的因素也越来越多。在现有的芯片设计中,常采用静电放电(ESD,ElectrostaticDischarge)保护电路以减少芯片损伤。现有的静电放电保护电路的设计和应用包括:栅接地的N型场效应晶体管(GateGroundedNMOS,GGNMOS)保护电路、可控硅(SiliconControlledRectifier,SCR)保护电路、横向扩散场效应晶体管(Later...
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