技术编号：12614034
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体加工技术领域，具体而言，涉及一种肖特基二极管的加工方法和一种肖特基二极管。背景技术目前，GaN(氮化镓)基的肖特基二极管具有开关速度快、场强高和热学特性好等优点，在功率整流器市场有很好的发展前景。相关技术中，如图1所示，肖特基二极管的基本结构包括：衬底101、氮化镓层102、氮镓铝层103、绝缘层104和金属层(图中105和106所示)，为了解决肖特基反向漏电严重的问题，CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，补偿金属氧化物半导体)工艺...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。