技术编号：12614174
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电探测器技术领域，尤其涉及一种硅基锗光电探测器。背景技术在半导体光电探测器中，光电探测器暴露于光源时经由探测材料吸收光能并转换成电子信号而输出电流，可通过此用于光通讯及光探测。作为硅基光电集成技术中的重要代表之一的硅基锗光电探测器，经过几十年的发展，在结构上不断优化，性能进一步提高。根据其光的入射角度，光电探测器可分为垂直入射(自由空间)和边入射(波导集成)这两种类型。其中波导集成的光电探测器由于光的传播和吸收沿着波导方向，而载流子输运则沿着与之相垂直的方向，因此在保持吸收区厚度不变...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。