技术编号:12614273
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及GaN薄膜的制备领域,特别涉及一种GaN薄膜的外延生长方法及应用。背景技术III-族氮化物(InN,GaN,AlN)及其合金在电学、光学以及声学上具有极其优异的性质,近几年受到广泛关注。III-族氮化物是直接带隙材料,且声波传输速度快,化学和热稳定性好,热导率高,热膨胀系数低,击穿介电强度高,是制造发光二极管(LED)和激光二极管(LD)、介电层薄膜声波谐振器、光电探测器等器件的理想材料。目前,蓝宝石被作为衬底广泛应用于氮化物材料外延生长及相关器件制备,这主要是由于蓝宝石在高温的外延生...
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