技术编号:12620661
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路设计技术领域,尤其涉及一种低电压应用下带正反馈的施密特触发器。背景技术施密特触发器,是具有滞后特性的反相器,在数字电路中将用它作抗噪整形电路。施密特触发器的电路结构参考图1所示,包括晶体管M1、M2、M3、M4、M5和M6,当输入端IN为低电平时,晶体管M1、M2导通,M3、M4、M5和M6截止,输出端OUT输出高电平。当输入端IN为高电平时,晶体管M1、M2、M5和M6截止,M3、M4导通,输出端OUT输出低电平。并且,当输入端IN由低电平逐渐上升到高电平过程中,电压上...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。