技术编号:12626053
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学机械抛光装置,更具体地涉及在化学机械抛光工序中通过准确检测作为抛光对象物的抛光层的位置,来准确识别晶片的抛光层厚度分布的化学机械抛光装置。背景技术通常,化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP)是一种如下所述的工序,即,在旋转的抛光平板上,以晶片等基板与抛光平板相接触的状态,使其旋转并实施机械抛光,由此使基板的表面变得平整,从而预定的厚度的工序。为此,如图1所示,在化学机械抛光装置1中,使抛光平板12以其上部覆盖有抛光垫11的状态进行自转,使用抛...
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