技术编号:12626244
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造化学机械研磨垫修整器之方法,尤指一种制造具有大钻石单晶的化学机械研磨垫修整器之方法。背景技术在半导体工业中,特别在目前线宽越来越小的发展趋势下,晶圆表面的平坦化步骤更为关键,目前高阶制程已全面使用化学机械研磨技术来达到全面平坦化效果。但在化学机械研磨制程中因为抛光垫会不断的和晶圆产生摩擦,使得抛光垫上的沟纹逐渐消失,且化学机械研磨制程中产生的切削、反应生成物等都会渐渐积存在抛光垫表面的细微沟槽中,容易造成抛光垫钝化、堵塞,导致抛光垫表面劣化,容易对晶圆产生缺陷,因此,研磨垫修整...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。