技术编号:12635263
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米材料的制备技术领域,涉及一种结构可控的CdS纳米材料的制备方法。背景技术作为II-VI族半导体材料中一种非常重要和典型的半导体材料,CdS在过去的几十年里已经被进行了广泛深入的研究。CdS是一种具有直接带隙半导体材料,常温下其带隙发射能量为2.4eV,它已经被广泛的应用到太阳电池中的光电转换、平板显示系统的发光二极管,以及其它基于其非线形特性制造的光学器件。过去几年,大量的研究工作围绕控制CdS纳米晶体的尺寸和形貌展开,开发出许多新方法用来制备以CdS为基体的结构,尤其是一维的Cd...
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