技术编号:12635276
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于湿敏器件材料的枝状结构二氧化锡的制备方法,属于先进纳米功能材料制备工艺及应用技术领域。背景技术二氧化锡(SnO2)是一种新型的宽禁带n型半导体材料,其禁带宽度为3.6eV,具有原料丰富,成本低廉,对环境友好无污染等优点。由于分级结构氧化锡特殊的小尺寸效应和表面效应,使其在传感器、量子尺寸半导体、光催化、太阳能电池等领域具有广阔的应用前景。分级结构是由低维结构单元(如颗粒状、棒状、花状、球状、管状、阵列状等)组装排列构成的一种形貌结构,低维结构单元的组装排列可以为晶格融合或化学键...
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