技术编号:12636457
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于碳化硅单晶领域,涉及一种碳化硅单晶生长装置,特别涉及一种降低碳化硅单晶中碳粒子包裹体的装置。背景技术作为第三代半导体材料,碳化硅单晶具有禁带宽度大,抗辐射能力强,击穿电场高,介电常数小,热导率大,电子饱和漂移速度高,化学稳定性高等独特的特性,可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件,应用于硅器件难以胜任的场合,被认为是制造光电子器件、高频大功率器件、电力电子器件理想的半导体材料。在白光照明、光存储、屏幕显示、航天航空、高温辐射环境、石油勘探、自动化、雷达与通信、汽车电子化等方面有广泛...
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