技术编号:12646338
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于红外高增透膜结构及制备领域,涉及一种关于以ZnS,ZnSe,Ge,Si、IG5和IG6等红外材料为基底同时对近红外(激光波长1.064um)和远红外(8~12um)超宽波段大角度入射(0~45°)的高增透膜的膜系设计和工艺制备镀制方法。背景技术高增透膜作为光学薄膜的一种,广泛应用于各种光学和红外元器件、激光和光学系统应用、光电探测以及大功率激光等成像系统中。目前已有很多不同类型的高增透膜能满足光学和红外技术领域的部分实际应用。这些高增透膜的波段范围大都比较窄或以单波长为主,入射角度也很...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。