技术编号：12646365
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料制造领域，具体涉及一种铁磁半导体薄膜材料的制备方法。背景技术磁性半导体是指非磁性半导体中的部分阳离子被磁性过渡金属元素或稀土金属离子取代后形成的磁性半导体。磁性离子掺杂到半导体中形成磁性半导体后，载流子自旋和磁性离子自旋之间存在交换耦合作用，磁性离子自旋可以产生铁磁性极化作用，将载流子俘获在铁磁自旋簇中，形成磁束缚态极子。随着外加磁场的增加，内部的束缚态磁极化子越来越多的被破坏掉，使更多的载流子被释放出来参与导电。因此磁性半导体在电学、磁学和光学等方面具有独特的性质，例如反常...
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