技术编号：12646409
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光刻技术领域，具体涉及一种氮化硼薄膜的刻蚀方法。背景技术六方氮化硼是一种室温下化学性质和物理性质稳定的电介质材料，常用于高温润滑剂、石墨烯等二维电子器件、深紫外发光器件和介电陶瓷等领域。在制备电子器件时，需要将氮化硼刻蚀成一定的图案，而六方氮化硼稳定的物理化学性质使六方氮化硼的光刻难以实现。在强酸、强碱溶液中或高温氢气还原气氛中，虽然能够刻蚀氮化硼，但是苛刻的刻蚀条件下六方氮化硼在刻蚀的过程中构成器件的其它组成部分也会被刻蚀。本专利通过压印技术将氧化石墨烯转移至氮化硼薄膜表面表面然后在...
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