技术编号:12646425
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体封装领域,具体涉及一种在半导体裸芯片上实现键合金属化改性的方法。背景技术目前,半导体芯片表面金属化层多采用铝及铝合金材料,而集成电路及混合集成电路等半导体封装结构均主要采用金线热超声键合互连工艺,这就导致裸芯片表面在键合后形成了金-铝化合物合金层。已有的研究和可靠性试验结果表明,金铝异质键合点在300℃及以上的温度条件下,在极短时间内会出现键合点性能衰变,严重时会导致键合点脱落进而导致器件失效。造成这一现象的主要原因是,高温下Au-Al异质键合点界面处的原子扩散速率变大,在界面处...
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