技术编号:12646712
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体制备领域,更具体地说,涉及一种高质量晶体生长方法及其用途。背景技术物质在一定温度、压力、浓度、介质、pH等条件下由气相、液相、固相转化,形成特定线度尺寸晶体的过程称为晶体生长。晶体生长方法主要有提拉法、热交换法、导模法、坩埚下降法、泡生法、温梯法等。提拉法中通常采用高温难熔氧化物,如氧化锆、氧化铝等作保温材料,使炉体内呈弱氧化气氛,对坩埚有氧化作用,并容易对熔体造成污杂,在晶体中形成包裹物等缺陷,且对于那些反应性较强或熔点极高的材料,难以找到合适的坩埚来盛装它们。热交换法在生长晶体...
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