技术编号:12646724
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于第三代半导体衬底材料制备技术领域,涉及一种III族氮化物衬底的制备方法,具体地涉及一种低缺陷密度高晶体质量的III族氮化物衬底的制备方法。背景技术近年来,以氮化铝、氮化镓和氮化铟为代表的第三代半导体材料受到了产业界越来越多的关注,作为第三代半导体的代表性材料,氮化铝等氮化物材料具有优异的电学性能和光学性能,同时具有较宽带隙和直接带隙的优点,可形成高浓度、高迁移率的二维电子气,弥补了宽禁带半导体电子有效质量大、迁移率低的缺陷,材料本身导热性能优越,耐高温高压,材料做成器件后适合应用于条件...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。