技术编号：12649510
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种异质结太阳能电池及其制造方法，尤指一种利用n型非晶半导体层与p型非晶半导体层以及本征非晶半导体层的组合做为缓冲层的异质结太阳能电池及其制造方法。背景技术请参阅图1，图1为现有技术的异质结太阳能电池的结构示意图。如图所示，一异质结太阳能电池PA100包含一半导体基板PA1、一第一本征非晶硅半导体层PA2、一第二本征非晶硅半导体层PA3、一第二n型非晶硅半导体层PA4、一第二p型非晶硅半导体层PA5、一第一透明导电层PA6、一第二透明导电层PA7、一第一导电线PA8、一第二导电线PA9...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。