技术编号:12653359
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体技术领域,具体涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构。背景技术继硅(Si)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)半导体材料之后,以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料和器件,在过去二十年成为国内外固态微波功率器件领域的研究热点,并得到了高速发展,从实验研究逐渐走向商业化应用。尤其是GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT),具有大的禁带宽度、高的击穿电场强度、高饱和电子速度等优越性能,能在高频段下输出大的功率密度,非常适合制造高温、高压、高频大功率微波、...
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