技术编号:12653364
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及IGBT器件制造技术领域,尤其是一种集成栅电阻并带有检测栅电阻功能的IGBT版图结构。背景技术IGBT是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内。IGBT的栅极和发射极之间是容性结构,栅极回路的寄生电感是不可避免的,栅极回路在驱动器驱动脉冲的激励下会产生很强的振...
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