技术编号:12653372
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体领域,具体地说,涉及诸如场效应晶体管的半导体器件。背景技术金属氧化物半导体场效应晶体管(“MOSFET”)是常见类型的功率开关器件。MOSFET器件包括源极区、漏极区、在源极区和漏极区之间延伸的沟道区以及邻近沟道区提供的栅极结构。栅极结构包括邻近沟道区设置并且通过薄的介电层与沟道区分离的导电栅极电极层。当MOSFET器件处于导通状态时,将电压施加到栅极结构以在源极区和漏极区之间形成导电沟道区,该导电沟道区允许电流流过该器件。在截止状态中,施加到栅极结构的任何电压都足够低以使得...
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