技术编号：12659328
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于辐射探测领域，涉及一种利用SRAM存储器进行中子辐射环境监测的方法。背景技术中子辐射环境一般由反应堆、加速器等设施产生，对中子辐射环境的监测是研究核装置性能的必要手段之一，通过监测中子辐射环境可以用于分析核设施的运行是否稳定；同时中子辐射环境的测量对于利用中子辐射环境进行核技术应用研究十分重要，中子辐射参数测量的准确度是开展相关研究的重要前提。目前反应堆、中子加速器等中子辐射参数的测量通常采用活化箔测量等方法，这种方法不能进行实时测量，需要累积一定注量的中子后才能进行测量，但在低注量条...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。