一种减小由光刻工件台吸附导致硅片形变的方法与流程技术资料下载

技术编号:12661006

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本发明涉及一种光刻工艺方法,更具体地,涉及一种光刻机套刻精度补充的光刻工艺方法。背景技术随着光刻技术的发展,对套刻精度提出了越来越高的要求。而对于理想的光刻而言,越平整的硅片,越能得到越大的工艺生产窗口,从而提高套刻精度以满足越来越高的线宽关键尺寸等工艺要求。然而完美的绝对平整的硅片是不存在的,在生产过程中,工艺设备处理的都是不平整的硅片。硅片的不平整主要由几个原因造成:第一,硅片本身的制造工艺;第二,硅片经过前序工艺步骤之后造成的缺陷,包括热处理产生的全局弯曲,薄膜淀积产生的局部应力翘曲等等;...
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