技术编号：12671365
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及磁阻元件和包括其的存储装置。背景技术磁性随机存取存储器（MRAM）是通过利用磁性隧穿结（MTJ）元件的电阻变化来存储数据的存储装置。MTJ元件的电阻根据自由层的磁化方向而改变。换言之，当自由层的磁化方向与被钉扎层的磁化方向相同时，MTJ元件具有低电阻。当自由层的磁化方向与被钉扎层的磁化方向相反时，MTJ元件具有高电阻。如果MTJ元件具有低电阻，则数据可以相应于“0”。相反，如果MTJ元件具有高电阻，则数据可以相应于“1”。MRAM作为下一代非易失性存储装置之一由于其诸如非易失性、高速操...
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