技术编号：12678588
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于光存储的纳米器件领域，尤其是涉及一种基于相变纳米线的集成型全光存储器件及其制备方法。背景技术电子芯片在通信电子线路中消耗的能量日益递增，使得在通信领域基于CMOS处理器的发展面临瓶颈。光通信因具有较低的能耗、更快的传输速率而备受关注。光位存储器的提出对光通信至关重要，因为电子存储器和处理器之间的通信难以实现片内集成。然而，光存储器被认为是芯片内光电器件中最难实现的光部件之一，因为我们需要同时实现高位速率操作、大规模集成及低功耗性能。目前，国际上已有研究组报道了集成光位存储芯片。绝大...
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