技术编号:12679993
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种在Ga-极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法技术领域本发明涉及到半导体工艺和器件领域,具体指一种在Ga-极性GaN模板上生长极性交替的GaN结构的方法。背景技术纤锌矿结构的GaN具有六方晶体结构,在C-轴方向的正负电荷不是中心对称的,具有本征极化效应,在N与Ga键合中,共价键电子偏向N,所以自发极化的方向是N到Ga,在+C(0001)方向是Ga到N,表现为Ga-极性,在-C(000-1)方向表现出Ga-极性,他们具有明显不同的特性,如化学活性、掺杂效率、极化方向、功函数、表面形态和...
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