技术编号:12680028
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。布线结构及其形成方法和形成掩模布局的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2015年12月7日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2015-0173131的优先权,该申请的公开以引用方式全文并入本文中。技术领域本发明构思的示例性实施例涉及一种布线结构,并且更具体地说,涉及一种形成布线结构的方法。背景技术在集成的半导体装置中,下布线和上布线以及将下布线和上布线彼此连接的过孔可具有相对小的尺寸。在光刻工艺和/或蚀刻工艺中,过孔可能会不具有期望的尺寸和/或形状。可使用光学邻近校正(O...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。