技术编号:12680057
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种高K金属栅晶体管的形成方法。背景技术互补型金属氧化物半导体管(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor,CMOS)是构成集成电路的基本半导体器件之一。所述互补型金属氧化物半导体管包括:P型金属氧化物半导体(PMOS)和N型金属氧化物半导体(NMOS)。现有技术为了在减小栅极尺寸的同时控制短沟道效应,提出了高K金属栅(HKMG,HighKMetalGate)晶体管,即采用高K介质材料取代常规的氧化硅等材料作为晶体管的栅介...
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