技术编号：12680268
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种绝缘体上硅材料的制造方法。背景技术绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator，SOI)材料被广泛应用于半导体技术，典型的SOI材料包括三层结构，从下到上依次是衬底硅、绝缘体层和顶层硅。在不同的应用领域，对于SOI材料的要求也可能会有所不同，例如，在MEMS技术中，对空腔(Cavity)SOI材料有着大量的需求，同时对晶圆的质量也有很高的要求，其中，在空腔SOI材料中，衬底硅与顶层硅之间形成有空腔，这些空腔能够为在MEMS技术中形成微机械结构提供便利...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。