技术编号:12680834
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。可抑制Snapback现象的SOI-LIGBT器件及其制造方法技术领域本发明属于半导体功率器件技术领域,具体涉及一种可抑制Snapback现象的SOI-LIGBT器件及其制造方法。背景技术相较于常规的体硅技术,SOI技术具有高速、低功耗、高集成度、寄生效应小、隔离特性良好、闭锁效应小以及强抗辐射能力等优点,使集成电路的可靠性和抗软失误能力大大提高,从而正逐渐成为制造高速度、低功耗、高集成度和高可靠性的集成电路的主流技术。横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT:LateralInsulatedGateB...
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