技术编号:12680906
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种用于套筒天线的GaAs/Ge/GaAs异质结构SPiN二极管串的制备方法。背景技术目前,国内外应用于等离子可重构天线的SPiN二极管采用的材料均为体硅材料,此材料存在本征区载流子迁移率较低问题,影响SPiN二极管本征区载流子浓度,进而影响其固态等离子体浓度;并且该结构的P区与N区大多采用注入工艺形成,此方法要求注入剂量和能量较大,对设备要求高,且与现有工艺不兼容;而采用扩散工艺,虽结深较深,但同时P区与N区的面积较大,集成度低,掺杂浓度不均匀,影响SPiN...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。