技术编号:12680964
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子技术领域,尤其涉及一种高压超结VDMOS。背景技术全超结VDMOS(VerticalDoubleDiffusedMetalOxideSemiconductor,垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管)的结构,如图1所示,耐压层由N柱和P柱交替构成,基于电荷补偿原理,电场近似为矩形分布,使BV(BreakdownVoltage,击穿电压)只依赖于漂移区厚度,而与其掺杂浓度无关。全超结耐压层的掺杂浓度比传统VDMOS高一个数量级,同等BV的Ron(OnResistance,导通电阻)比传...
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