技术编号:12681342
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于氮化物光电子器件制造技术领域,具体涉及一种GaN基多孔DBR的制备方法。背景技术在氮化物光电子器件制造技术领域,高反射性GaN基DBR(DistributedBraggReflector,分布布拉格反射镜)在高亮度LED、谐振腔增强LED(RCLED)和垂直腔面发射激光器(VCSEL)及探测器方面展现出巨大的应用前景和市场需求。不过,对于传统的GaN基DBR,如外延以AlN/GaN系为代表的氮化物DBR,由于AlN/GaN的晶格失配和热膨胀系数差异,实际过程中制备高质量AlN/GaN系...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。