技术编号:12686595
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米氧化锌材料技术领域,尤其涉及一种原位制备ZnO纳米棒阵列薄膜的方法及其制得的薄膜。背景技术ZnO在常温下的禁带宽度为3.37eV,是一种带隙宽、激子束缚能高、热稳定性好、制备方法简单、形貌尺寸多样以及价格低廉的半导体材料。ZnO各晶面的生长速度有很大不同,因此在制备ZnO过程中,可以通过调控实验条件,来改变不同方向的生长速率,从而获得各种各样的纳米形貌结构。ZnO具有纳米颗粒、纳米梳、纳米阵列、纳米空心球、纳米带、纳米环、纳米管等多种形貌结构,可广泛应用于陶瓷、化工、光学、电子和生...
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