技术编号:12699698
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在石墨烯上基于原子层沉积氮化铝的氮化镓生长方法和氮化镓激光器,属于光电子技术领域。背景技术氮化镓材料作为一种新型的半导体材料受到了越来越多的关注。作为第三代半导体的代表性材料,氮化镓具有优异的电学和光学性质,其具有较宽带隙、直接带隙的优点,耐高温高压,电子迁移率高等优势在电子器件和光电子器件等领域中具有广泛的应用,因此制备高质量的氮化镓是制备上述器件的关键。石墨烯是新型二维纳米材料它们的原子之间通过sp2电子轨道链接在一起,并且由于石墨烯具有六角密排的原子格位,与氮化物晶体中各层原...
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