技术编号：12710705
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁性传感器领域，特别涉及一种单芯片双轴磁电阻角度传感器。背景技术双轴角度传感器，用于测量两个正交方向如X和Y方向的外磁场角度信息，可以用于磁轮速度测量，或者用于编码器角度测量，在磁传感器设计领域得到广泛的应用。双轴磁电阻角度传感器包括X和Y两个单轴磁电阻角度传感器，每一单轴X或Y磁电阻角度传感器通常采用推挽式电桥结构以增强磁电阻角度传感器的信号输出，而推挽式电桥包括推磁电阻角度传感单元和挽磁电阻角度传感单元组成，且分别具有相反的磁场敏感方向。对于TMR或者GMR类型的双轴磁电阻角度传感...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。