技术编号:12715163
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及单晶硅片的制备技术领域,具体为一种单晶硅片的制备装置及制备方法。背景技术近年来,作为硅晶片原料的单晶硅多通过CZ法来制备。CZ法是如下方法:将晶种浸渍于石英坩埚内所容纳的硅熔体的液面内,缓慢地提拉晶种,由此育成具有与晶种相同的结晶方向的单晶硅。近年来,随着提拉的单晶硅的大口径化,气泡掺入正在生长的单晶中而在单晶中产生针孔或位错的问题渐渐变得引人注目。一般认为,硅熔体中溶解的氩(Ar)气体或因石英坩埚与硅熔体的反应而产生的一氧化硅(SiO)气体等的气体以在石英坩埚内表面形成的瑕疵为起点聚...
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