技术编号:12715197
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于单晶硅生长炉,尤其是涉及一种提高原料熔化速率、降低单晶硅生长功耗的单晶硅生长炉。背景技术随着集成电路向小型化、低功耗、高运算速率、窄线宽的快速发展,对大尺寸集成电路用硅片的品质与性能提出了更高的要求。随着晶锭尺寸的加大,晶锭生长所需的温度场设计难度增大,单晶硅生长炉制造难度与成本大幅增加,单晶硅生长周期和成本大幅度增加。半导体单晶硅生长主要采用切克劳斯基法(Czochralski法,简称Cz法)。在这种方法中,多晶硅被装进石英坩埚内,加热熔化,然后,将硅熔体略做降温,给予一定的过冷度,...
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