技术编号:12724882
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,特别是涉及一种氮化镓功率三极管的制作方法。背景技术在现有技术中,氮化镓功率三极管的结构如图1、2所示:在蓝宝石、硅或碳化硅的衬底1上生长氮化镓层2、铝镓氮层3,蚀刻铝镓氮层3和部分氮化镓层2形成台面,在台面上淀积第一金属层4作为第一电极和第二电极,退火后在台面上淀积第二金属层5作为第三电极,从而构成三极管。现有结构缺点在于:由于氮化镓外延层与衬底材料的晶格不匹配,因此在生长后的外延层中及表面上产生很多缺陷,在制成器件后,这些缺陷就会在器件工作时导致漏电流的增加,从而降低器件...
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