技术编号:12725096
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种适用于功率MOS的新型塑封结构。背景技术功率场效应晶体管(POWERMOS)作为功率半导体器件的主要分支之一,其广泛应用于手机、电脑、照明及液晶电视机等消费电子产品的电源或适配器中,功率mos器件同时具有输入阻抗底,开关速度快等优点。随着半导体技术的发展,大功率,低功耗,小封装的功率MOS器件越来越吸引人们的眼球。功率MOS器件一般是由许多元胞结构的晶体管并联组成的,其芯片的结构和制造工艺是其性能品质的决定性因素,而这些技术的进一步改进将付出很高的成本。而封装是沟通半导体芯片和外部...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。